癲癇外科術(shù)前評(píng)估和術(shù)中監(jiān)測(cè)包括一系列多 學(xué)科合作項(xiàng)目，長(zhǎng)程視頻腦電圖（VEEG）監(jiān)測(cè)是術(shù) 前評(píng)估中最重要的內(nèi)容之一，有些患者還需要進(jìn)一 步顱內(nèi)放置電極后進(jìn)行長(zhǎng)程VEEG監(jiān)測(cè)。術(shù)中皮 質(zhì)腦電圖（ECoG）也常用于癲癇外科。在涉及到運(yùn) 動(dòng)功能區(qū)時(shí)，術(shù)中誘發(fā)電位監(jiān)測(cè)可有效保護(hù)運(yùn)動(dòng)功 能。在接受癲癇外科手術(shù)后的數(shù)年內(nèi)，需要定期復(fù) 查VEEG。以下各項(xiàng)均為術(shù)前評(píng)估或術(shù)中監(jiān)測(cè)時(shí)的 腦電圖和神經(jīng)電生理技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，也包括對(duì)術(shù)后腦電 圖復(fù)查的特殊要求。

1 顱外視頻腦電圖監(jiān)測(cè)（VEEG ）

1.1 適應(yīng)證

各種藥物難治性癲癇，不論是考慮根治性手術(shù) （如致癇區(qū)切除、離斷或激光間質(zhì)熱療）還是姑息 性手術(shù)（如胼胝體離斷或神經(jīng)調(diào)控手術(shù)），術(shù)前評(píng) 估均應(yīng)進(jìn)行長(zhǎng)程VEEG監(jiān)測(cè)。VEEG監(jiān)測(cè)以頭皮電 極記錄為主。VEEG監(jiān)測(cè)應(yīng)在癲癇中心或EMU內(nèi) 住院進(jìn)行，以保證監(jiān)測(cè)質(zhì)量和患者安全。

1.2 VEEG監(jiān)測(cè)的基本要求

在設(shè)備和人員配置、監(jiān)測(cè)環(huán)境要求、操作流 程、減?？拱d癇發(fā)作藥物（ASM）方案、VEEG記錄 和分析、數(shù)據(jù)整理、質(zhì)量控制和安全管理等方面可 參照指南四和指南五的標(biāo)準(zhǔn)。

1.3 特殊要求

在指南四和指南五的基礎(chǔ)上，術(shù)前評(píng)估的長(zhǎng) 程VEEG監(jiān)測(cè)有以下特殊要求：

1.3.1 設(shè)備要求 由于監(jiān)測(cè)癲癇發(fā)作有時(shí)需要10-20 系統(tǒng)以外的附加腦電記錄電極和更多通道的肌電 圖記錄，32通道儀器有時(shí)不能滿足需要，必要時(shí)采 用64通道的視頻腦電圖儀。如果采用10-10系統(tǒng) 高密度電極記錄，則需要多通道視頻腦電圖儀。

1.3.2 電極安放 均使用盤狀電極。強(qiáng)烈推薦使用 改良的10-20系統(tǒng)，即常規(guī)增加下顳電極。均應(yīng)安 放一個(gè)通道的心電圖和至少2個(gè)通道的表面肌電圖（常規(guī)為左右三角?。Ｈ绻颊弑憩F(xiàn)為下肢抽 搐，或肢體遠(yuǎn)端、眼瞼、口角等部位抽搐，應(yīng)額外安 放股四頭肌或其他相應(yīng)部位的肌電圖。

1.3.3 監(jiān)測(cè)時(shí)間 推薦術(shù)前評(píng)估的VEEG監(jiān)測(cè)時(shí) 間3 24 h,并至少記錄到2次（最好3 ~ 5次）慣常 性發(fā)作。如果患者在當(dāng)前階段有多種發(fā)作類型，每 種類型都應(yīng)記錄到至少2次發(fā)作。必要時(shí)通過(guò)減 停ASM誘發(fā)臨床發(fā)作（見指南五）。即使在24 h 內(nèi)已經(jīng)記錄到多次發(fā)作,監(jiān)測(cè)時(shí)間也不應(yīng)短于24 h, 以便評(píng)估發(fā)作頻率。如果連續(xù)監(jiān)測(cè)1周仍未記錄 到發(fā)作,由主管醫(yī)生決定并與患者或家屬協(xié)商是否 終止監(jiān)測(cè)。

2 顱內(nèi)視頻腦電圖監(jiān)測(cè)（intracranial video EEG，iEEG）

2.1 適應(yīng)證

顱內(nèi)視頻腦電圖監(jiān)測(cè)是指在手術(shù)置入顱內(nèi)電 極后,進(jìn)行非術(shù)中的長(zhǎng)程監(jiān)測(cè),屬于有創(chuàng)性（硬膜 下電極）或微創(chuàng)性（立體定向深部電極，SEEG）的術(shù) 前評(píng)估方法。藥物難治性局灶性癲癇如經(jīng)無(wú)創(chuàng)性 術(shù)前評(píng)估不能確定致癇區(qū)和（或）切除范圍,或手 術(shù)可能涉及重要功能表達(dá)區(qū)，可以考慮進(jìn)行iEEG 監(jiān)測(cè)定位。iEEG方案應(yīng)根據(jù)多學(xué)科術(shù)前評(píng)估的綜 合結(jié)果進(jìn)行規(guī)劃。

2.2 設(shè)備要求

iEEG監(jiān)測(cè)系統(tǒng)包括多通道視頻腦電圖記錄儀 和皮質(zhì)電刺激器。腦電記錄至少需要128個(gè)放大 器通道，SEEG有時(shí)需要更多通道放大器。放大器 采樣率應(yīng)' 1 000 Hz,以便分析顱內(nèi)高頻腦電信 號(hào)。其他設(shè)備和參數(shù)要求與視頻腦電圖監(jiān)測(cè)相同。 

2.3 顱內(nèi)電極置入

目前應(yīng)用的iEEG顱內(nèi)電極包括硬膜下電極和 SEEG置入。iEEG監(jiān)測(cè)也應(yīng)同步記錄心電圖和多導(dǎo) 肌電圖，必要時(shí)需增加其他生理記錄。iEEG的接 地電極可選擇位于頭皮、耳垂、顱骨或腦內(nèi)白質(zhì), 但低齡兒童顱骨較薄,不建議作為接地電極。

2.3.1硬膜下電極 麻醉后在鋪單前拍照患者的頭 位和切口標(biāo)記線。開顱后確定局部皮質(zhì)的解剖結(jié) 構(gòu)，根據(jù)術(shù)前規(guī)劃放置格柵電極及條狀電極。電生 理技術(shù)人員現(xiàn)場(chǎng)拍照（拍照角度與術(shù)前頭位照片一 致），并現(xiàn)場(chǎng)及時(shí)在照片上注明手術(shù)窗口的空間位 置、主要解剖標(biāo)志和電極編號(hào)。術(shù)后將電極位置還 原至患者的三維重建MRI表面，以供腦電圖分析 定位和皮質(zhì)電刺激時(shí)參考。

2.3.2 SEEG電極 每根SEEG電極的觸點(diǎn)數(shù)從 8 ~ 16個(gè)不等。根據(jù)術(shù)前規(guī)劃標(biāo)注電極代碼（英文 大寫字母）及每根電極的觸點(diǎn)編號(hào)（阿拉伯?dāng)?shù)字）。 通常SEEG的電極觸點(diǎn)數(shù)比硬膜下電極更多，如果 觸點(diǎn)數(shù)超過(guò)腦電圖儀器通道數(shù)，可刪除位于白質(zhì)內(nèi) 或皮質(zhì)外的電極觸點(diǎn)，但每個(gè)觸點(diǎn)的編號(hào)不變。 SEEG的參考電極推薦選擇與癲癇發(fā)作最無(wú)關(guān)的白 質(zhì)觸點(diǎn)，以盡量減少皮質(zhì)電活動(dòng)或心電、肌電信號(hào) 的干擾。術(shù)后行常規(guī)腦CT掃描，并與MRI融合和 三維重建，精確定位電極軌跡和每個(gè)觸點(diǎn)的解剖部 位，以供腦電圖分析定位和皮質(zhì)電刺激時(shí)參考。

2.2.3 啟動(dòng)iEEG記錄 電極置入術(shù)后，一旦患者 從麻醉中清醒，即可開始iEEG記錄，并觀察記錄 質(zhì)量。硬膜下電極記錄早期可能因局部水腫而慢 波增多。SEEG記錄早期如出現(xiàn)局灶性慢波或電靜 息，應(yīng)注意是否出現(xiàn)局部血腫，并及時(shí)進(jìn)行頭顱 CT掃描。

2.4 數(shù)據(jù)采集和分析

2.4.1 采樣頻率設(shè)置 采樣率至少為500 Hz，推薦 1 000 Hz或更高，以便顯示80 Hz以上的高頻腦電 信號(hào)。在記錄和分析過(guò)程中均不推薦使用高頻濾 波、低頻濾波和陷波濾波，以免衰減高頻腦電活動(dòng) 和發(fā)作起始期的低頻去極化漂移。

2.4.2 iEEG分析 推薦常規(guī)采用雙極鏈?zhǔn)綄?dǎo)聯(lián)， 僅在必要時(shí)使用參考導(dǎo)聯(lián)。由于通道數(shù)很多，既需 要對(duì)全部導(dǎo)聯(lián)的“全景式”瀏覽，也需要對(duì)感興趣 的部位或時(shí)段選擇性分析，包括顯示局部導(dǎo)聯(lián)并增 加靈敏度，和（或）調(diào)節(jié)每屏顯示的時(shí)長(zhǎng)，如展開 到5 s/屏、2 s/屏（分析高頻信號(hào)）或壓縮至20 ~ 30 s/屏（分析緩慢去極化漂移）,以達(dá)到準(zhǔn)確分析和 定位。避免從始至終一成不變的瀏覽分析?？筛?據(jù)所要分析的頻段臨時(shí)調(diào)整帶寬，如分析高頻振蕩 時(shí)可提高HF和LF的起止點(diǎn)（峰右移）。過(guò)度換 氣、間斷閃光刺激在術(shù)前頭皮VEEG監(jiān)測(cè)是常規(guī)檢 測(cè)項(xiàng)目，在iEEG則為選擇項(xiàng)目，可根據(jù)患者實(shí)際 病情選擇適當(dāng)?shù)恼T發(fā)試驗(yàn)，包括驚嚇刺激等。

2.5 皮質(zhì)電刺激

皮質(zhì)電刺激是iEEG的常規(guī)檢測(cè)項(xiàng)目，主要目 的是確定皮質(zhì)功能區(qū)范圍，和通過(guò)誘發(fā)慣常性發(fā)作 確定發(fā)作起始區(qū)。皮質(zhì)電刺激操作應(yīng)由2位負(fù)責(zé) iEEG監(jiān)測(cè)的腦電圖醫(yī)生和神經(jīng)科醫(yī)生（或腦電圖 技師）合作完成，一人負(fù)責(zé)電刺激操作，另一人負(fù) 責(zé)觀察和記錄刺激的反應(yīng)。操作人員應(yīng)熟悉患者 慣常性發(fā)作的形式、電極位置、發(fā)作間期和發(fā)作期 的電活動(dòng)情況及藥物減停情況。推薦在記錄到自 發(fā)性慣常發(fā)作之后再進(jìn)行皮質(zhì)電刺激。在準(zhǔn)備進(jìn) 行電刺激前應(yīng)盡量先恢復(fù)之前減停的ASM。若停 用ASM數(shù)天后仍未記錄到自發(fā)性癲癇發(fā)作，也可 先行皮質(zhì)電刺激。電刺激誘發(fā)的癲癇發(fā)作應(yīng)與自 發(fā)性癲癇發(fā)作進(jìn)行比較，以便確定是否為真正的發(fā) 作起始區(qū)。

2.5.1 刺激參數(shù) 通常選擇2個(gè)相鄰觸點(diǎn)作為正負(fù) 極，施加雙相方波脈沖刺激。硬膜下電極與SEEG 的刺激參數(shù)不同，表6-1為推薦的刺激參數(shù)。允許 在安全的前提下適當(dāng)調(diào)整刺激參數(shù)，但都應(yīng)從低刺 激量開始逐漸增加刺激電流，直至產(chǎn)生主觀或客觀 的功能表達(dá)、發(fā)作癥狀、后放電或達(dá)到最高刺激 量。2次刺激的間隔時(shí)間不短于15 s,且iEEG活動(dòng) 應(yīng)恢復(fù)到基礎(chǔ)狀態(tài)。間隔時(shí)間過(guò)短可能產(chǎn)生可塑 性效應(yīng)或累積效應(yīng)，導(dǎo)致假陽(yáng)性結(jié)果。對(duì)位于白質(zhì) 內(nèi)的SEEG觸點(diǎn)不進(jìn)行刺激。

2.5.2 中央?yún)^(qū)電刺激 中央?yún)^(qū)的興奮性閾值較低， 上述刺激參數(shù)可能誘發(fā)非慣常性癲癇發(fā)作，因此推 薦優(yōu)先選擇短時(shí)間的高頻刺激或低頻刺激，避免出 現(xiàn)假陽(yáng)性結(jié)果。

2.5.3 兒童電刺激 癲癇患兒有時(shí)需要使用更大的 刺激電流或更寬的脈沖寬度才能獲得反應(yīng)，可在上 述刺激參數(shù)的基礎(chǔ)上適當(dāng)調(diào)整，提高檢測(cè)敏感性。 對(duì)于不合作的患兒，可在睡眠期使用高頻刺激測(cè)試 運(yùn)動(dòng)功能。

2.5.4 皮質(zhì)功能區(qū)定位 首先要明確刺激電極的解 剖位置，刺激位置偏差或解剖功能變異可能產(chǎn)生假 陰性結(jié)果。建議首先從遠(yuǎn)離發(fā)作起始區(qū)的部位開 始刺激，最后對(duì)起始區(qū)進(jìn)行刺激，以避免因刺激引 起發(fā)作而影響進(jìn)一步功能定位。刺激時(shí)要求患者 描述對(duì)刺激的感覺(jué)，同時(shí)觀察刺激引起的局部運(yùn)動(dòng) 癥狀。某些腦區(qū)應(yīng)在任務(wù)狀態(tài)下進(jìn)行皮質(zhì)電刺激， 以確定皮質(zhì)功能區(qū)分布。通常電刺激顳葉內(nèi)側(cè)結(jié) 構(gòu)時(shí)進(jìn)行圖像命名和朗讀，刺激顳后皮質(zhì)時(shí)進(jìn)行單 詞重復(fù)，刺激運(yùn)動(dòng)前區(qū)時(shí)進(jìn)行自動(dòng)語(yǔ)言系列（大聲 計(jì)數(shù)），刺激優(yōu)勢(shì)側(cè)額下回時(shí)進(jìn)行命名或大聲朗 讀。低齡或智障兒童難以完成任務(wù)態(tài)下的皮質(zhì)電 刺激，可適當(dāng)省略。

2.5.5 電刺激結(jié)果記錄 所有電刺激結(jié)果均應(yīng)記錄在專用的皮質(zhì)電刺激記錄表內(nèi)，包括刺激部位、刺 激電流強(qiáng)度和刺激反應(yīng)等。全部刺激完成后應(yīng)對(duì) 刺激結(jié)果進(jìn)行分析，在三維重建MRI上標(biāo)記出表 達(dá)功能區(qū)分布圖，以及后放電或發(fā)作起始部位。

3 術(shù)中皮質(zhì)腦電圖（electrocorticography, ECoG）

3.1 適應(yīng)證

術(shù)中ECoG是在術(shù)中應(yīng)用條狀、柵狀電極或深 部電極直接記錄大腦皮質(zhì)的電活動(dòng)。推薦對(duì)所有 接受開顱癲癇手術(shù)的患者在致癇區(qū)切除（或離斷） 前后進(jìn)行ECoG記錄，為精確定位致癇區(qū)和切除范 圍提供補(bǔ)充信息。由于患者處于麻醉狀態(tài)及術(shù)中 采集時(shí)間受限，術(shù)中ECoG主要記錄的是發(fā)作間期 癲癇樣放電。

3.2 儀器設(shè)備

使用至少32通道的數(shù)字化腦電圖儀，采樣頻 率至少500 Hz （最好=s 1 000 Hz,以記錄局部皮質(zhì) 高頻電活動(dòng)）。推薦使用術(shù)中腦電圖監(jiān)測(cè)儀，兼有 ECoG記錄和術(shù)中誘發(fā)電位監(jiān)測(cè)的功能。

3.3 操作方法

3.3.1 術(shù)中ECoG記錄 需要術(shù)者和電生理人員在 手術(shù)臺(tái)上和臺(tái)下相互密切配合。操作者應(yīng)掌握患 者術(shù)前評(píng)估的各種資料，包括發(fā)作間期放電部位、 發(fā)作起始部位及影像學(xué)結(jié)果等，以指導(dǎo)術(shù)中記錄電 極的選擇及電極覆蓋范圍。麻醉后在鋪單前拍照 患者的頭位和切口標(biāo)記線。

3.3.2 地線及參考電極 推薦采用針電極，記錄前 將電極插入手術(shù)切口邊緣或其他合適部位并妥善 固定。如采用皮膚表面盤狀電極，需在手術(shù)消毒前 將電極安放在與手術(shù)無(wú)關(guān)的部位，一般是固定在對(duì) 側(cè)頭皮，但皮膚表面電極存在因術(shù)中變換體位、出 汗等因素可能導(dǎo)致電極脫落或接觸不良的問(wèn)題，且 在手術(shù)過(guò)程中難以修理維護(hù)。

3.3.3 記錄方法 根據(jù)計(jì)劃的記錄范圍，可選擇硬 膜下條狀電極、柵狀電極及深部電極的各種組合。 推薦帶寬為0.5 Hz ~ 200 Hz,以盡可能記錄到高頻 振蕩電位。但為避免手術(shù)室內(nèi)各種醫(yī)療電器的干 擾，HF也可設(shè)置為70 Hz。如果50 Hz交流電干擾 難以去除,必要時(shí)可暫停電刀、電凝、電動(dòng)床、電熱 毯、吸引器等設(shè)備。術(shù)中記錄電極的位置可根據(jù)需 要隨時(shí)調(diào)整,推薦每一部位的記錄時(shí)間不短于 5 min。每一次電極位置變動(dòng)都應(yīng)拍照（每次拍照 角度與術(shù)前頭位照片一致。）并即時(shí)在照片中標(biāo)記 出電極觸點(diǎn)的編號(hào)，對(duì)應(yīng)于該電極位置的ECoG記 錄數(shù)據(jù)段,并存檔留證和用于后期分析。一般術(shù) 中ECoG總記錄時(shí)間30 ~ 60 min。

3.3.4 麻醉方案 癲癇外科應(yīng)與麻醉科協(xié)同制定癲 癇手術(shù)的麻醉方案,并在術(shù)中相互配合,完成手術(shù) 過(guò)程和各項(xiàng)術(shù)中監(jiān)測(cè)項(xiàng)目。不同麻醉劑對(duì)術(shù)中 ECoG和誘發(fā)電位有不同影響，并與劑量及其他因 素（如CO2濃度）有關(guān)。通常中等劑量麻醉劑增加 皮質(zhì)放電頻率,劑量進(jìn)一步增加時(shí)全腦抑制增強(qiáng), 放電頻率減少。推薦的麻醉方案為芬太尼、低劑量 吸入麻醉劑及間斷異丙酚輔助維持麻醉。在 ECoG記錄前15 min停用異丙酚，吸入麻醉劑維持 在1.5 MAC以下。開始感覺(jué)和運(yùn)動(dòng)誘發(fā)電位監(jiān)測(cè) 前停用吸入性麻醉劑和肌松劑。

4 術(shù)中運(yùn)動(dòng)功能監(jiān)測(cè)

4.1 適應(yīng)證

當(dāng)癲癇手術(shù)切除（或離斷）范圍鄰近初級(jí)運(yùn)動(dòng) 區(qū)（如中央溝前后）或鄰近皮質(zhì)下的皮質(zhì)脊髓束（如 島葉后部皮質(zhì)下）時(shí),術(shù)中運(yùn)動(dòng)功能監(jiān)測(cè)（簡(jiǎn)稱術(shù) 中監(jiān)測(cè)）用于對(duì)運(yùn)動(dòng)功能的保護(hù)。應(yīng)在術(shù)前評(píng)估時(shí) 根據(jù)病情和手術(shù)方案確定術(shù)中監(jiān)測(cè)方案。推薦術(shù) 前根據(jù)患者情況盡可能進(jìn)行無(wú)創(chuàng)性功能評(píng)估,如神 經(jīng)系統(tǒng)查體（是否有輕偏癱）、功能磁共振 （fMRI）、磁共振彌散張量成像（Diffusive tensor imaging, DTI）、或經(jīng)顱磁刺激運(yùn)動(dòng)誘發(fā)電位 （Motor evoked potential，MEP）等，了解運(yùn)動(dòng)功能 分布及其與手術(shù)范圍的大致關(guān)系，以便術(shù)中在有限 的記錄范圍和監(jiān)測(cè)時(shí)間內(nèi)準(zhǔn)確定位運(yùn)動(dòng)功能區(qū)。 對(duì)于難以進(jìn)行無(wú)創(chuàng)性功能評(píng)估的低齡兒童，術(shù)中監(jiān) 測(cè)是保護(hù)運(yùn)動(dòng)功能最可靠的方法。

4.2 術(shù)中運(yùn)動(dòng)功能監(jiān)測(cè)的操作

整個(gè)操作過(guò)程需要手術(shù)醫(yī)生、電生理人員和麻 醉醫(yī)生密切配合共同完成。在麻醉之后，消毒開顱 之前，預(yù)置軀體感覺(jué)誘發(fā)電位（SEP）的表面刺激電 極（上肢為對(duì)側(cè)正中神經(jīng)，下肢為對(duì)側(cè)踝部脛后神 經(jīng)），并預(yù)置記錄運(yùn)動(dòng)誘發(fā)電位（MEP）的針電極 （上肢包括大、小魚際肌、伸指總肌、肱二頭肌、肱 三頭肌及三角肌，下肢包括股四頭肌、脛前肌、腓 腸肌及足底?。?。運(yùn)動(dòng)功能監(jiān)測(cè)一般在ECoG記錄 后開始。監(jiān)測(cè)分為以下三步：

4.2.1 軀體感覺(jué)誘發(fā)電位（SEP ） 用于確定中央 溝的位置。SEP測(cè)試前停用吸入性麻醉劑。使用 1x6或1x8的硬膜下條狀電極作為記錄電極，由手 術(shù)醫(yī)生將其放置在與中央溝“反。”走形彎曲處 垂直的位置，并根據(jù)測(cè)試結(jié)果對(duì)位置和角度進(jìn)行微 調(diào)。不建議用柵狀電極，因?yàn)楹茈y保證電極位置的 準(zhǔn)確性，且不同觸點(diǎn)之間的電位關(guān)系混亂，影響對(duì) SEP電位的識(shí)別確認(rèn)。刺激電極位于手術(shù)對(duì)側(cè)的正 中神經(jīng)。給予連續(xù)的單個(gè)電刺激，脈寬0.2 ~ 0.5 ms, 刺激強(qiáng)度為15 ~ 25 mA。如在條狀電極兩個(gè)相鄰觸 點(diǎn)疊加出位相倒置的皮質(zhì)電位（中央后回電位 N20和中央前回電位P22）,這兩個(gè)電極所跨越的 腦溝即為中央溝。由此整個(gè)中央溝的走形和中央 前回的其他部分（下肢或頭面部代表區(qū)）多數(shù)能夠 準(zhǔn)確判斷，除非有明顯解剖變異。僅誘發(fā)出N20或 僅出現(xiàn)P22也可以提供足夠的定位信息。3歲以下 兒童髓鞘發(fā)育不成熟，位于中央?yún)^(qū)或鄰近區(qū)域的先 天性皮質(zhì)發(fā)育不良常有解剖結(jié)構(gòu)紊亂和功能分布 異常，可能誘發(fā)不出正常SEP波形。

4.2.2 皮質(zhì)電刺激運(yùn)動(dòng)誘發(fā)電位（MEP） 確定中 央溝后，進(jìn)行MEP測(cè)試。測(cè)試前應(yīng)停用吸入性麻 醉劑和肌松劑，并監(jiān)測(cè)TOF （Train of four twitch test）以了解肌松劑代謝情況，肌松劑代謝不完全將 導(dǎo)致MEP失敗。將條狀電極放置在中央前回，一 般應(yīng)用第一個(gè)觸點(diǎn)作為刺激電極的陽(yáng)極進(jìn)行電刺 激。使用陽(yáng)極串刺激，每串包含5~7個(gè)刺激，每個(gè) 刺激脈寬0.2 ~ 0.7 ms,頻率250 ~ 500 Hz。刺激量 從1 mA開始逐步增加，直到在目標(biāo)肌肉引出復(fù)合 肌肉動(dòng)作電位（CMAP）,成人刺激量一般不超過(guò) 15 mA。兒童所需刺激量常比成人大，最大刺激量 一般不超過(guò)30 mA。嬰幼兒（3歲以下）常需要較大 的刺激量,因此低齡兒童可直接從較大起始刺激量 （15 mA-20 mA）開始嘗試，以節(jié)省術(shù)中時(shí)間。測(cè) 試過(guò)程中需要手術(shù)醫(yī)生配合,不斷調(diào)整刺激電極的 位置，根據(jù)所誘發(fā)的CMAP肌群來(lái)確定皮質(zhì)主要 運(yùn)動(dòng)功能區(qū)的位置。如果在局部及周圍腦區(qū)沒(méi)有 誘發(fā)出CMAP,需要判斷是操作及刺激參數(shù)的問(wèn)題 或儀器故障,還是患者的功能區(qū)已經(jīng)轉(zhuǎn)移。

4.2.3 術(shù)中持續(xù)運(yùn)動(dòng)功能監(jiān)測(cè) 一旦根據(jù)CMAP 確定了主要肌群在皮質(zhì)的投射位置,則將刺激電極 固定放置在該部位，并盡可能放置在引出最佳CMAP 的位置。在手術(shù)切除全過(guò)程中對(duì)CMAP進(jìn)行持續(xù) 監(jiān)測(cè)，每隔1-5 s給予一次串刺激，形成連續(xù)的CMAP “瀑布圖”。手術(shù)操作距離功能區(qū)越近,刺激的間隔應(yīng)越短，以便及時(shí)發(fā)現(xiàn)CMAP波幅的變化。一 旦出現(xiàn)CMAP波幅降低甚至消失，表明手術(shù)操作 影響或損傷到運(yùn)動(dòng)區(qū)皮質(zhì)或皮質(zhì)脊髓束,此時(shí)應(yīng)及 時(shí)提醒手術(shù)醫(yī)生暫停操作,避免損傷運(yùn)動(dòng)功能。

5 術(shù)后VEEG復(fù)查

應(yīng)建立癲癇外科術(shù)后的長(zhǎng)期隨訪和管理流程, 確定隨訪時(shí)間、隨訪項(xiàng)目和隨訪方式（門診隨訪或 電話隨訪）,并與患者及家屬充分溝通獲得配合。

5.1 VEEG復(fù)查時(shí)間

首次VEEG復(fù)查推薦在頭皮縫合口拆線后或 出院前進(jìn)行,如果術(shù)后仍有發(fā)作或可疑事件,應(yīng)根 據(jù)情況提前安排復(fù)查時(shí)間。出院后應(yīng)定期復(fù)查 VEEG,在保持無(wú)發(fā)作的狀態(tài)下，推薦復(fù)查的時(shí)間 點(diǎn)為術(shù)后3、6、12、24和36個(gè)月。在隨訪期間如果 癲癇復(fù)發(fā)或有其他特殊需要，應(yīng)及時(shí)復(fù)查VEEG, 以便臨床作出正確診斷和治療調(diào)整。

5.2 術(shù)后VEEG復(fù)查的特殊要求

復(fù)查的技術(shù)指標(biāo)參照指南四,并補(bǔ)充以下額外 要求。

5.2.1 患者信息的補(bǔ)充采集 除指南四所采集的患者術(shù)前病史資料外,術(shù)后復(fù)查需補(bǔ)充如下資料：手術(shù)時(shí)間、術(shù)式（切除、離斷、SEEG熱凝、激光間質(zhì)熱療、神經(jīng)調(diào)控等）、手術(shù)部位和范圍（根據(jù)術(shù)后 MRI）、位于切口附近的電極編號(hào)（用于識(shí)別缺口節(jié)律）、術(shù)后用藥及癲癇控制情況等。其中需要特別注意腦葉離斷或半球離斷手術(shù),因?yàn)殡x斷手術(shù)后對(duì)腦電圖的解釋與其他術(shù)式有很大不同。

5.2.2 迷走神經(jīng)刺激術(shù)后 對(duì)接受迷走神經(jīng)刺激(Vagus nerve stimulation, VNS)治療的患者術(shù)后復(fù)查腦電圖時(shí)應(yīng)額外增加2個(gè)互為參考的盤狀電極，分別放置在左側(cè)頸部手術(shù)瘢痕附近和左側(cè)腋下瘢痕附近，用于記錄VNS的刺激脈沖。其作用一方面是識(shí)別腦電圖記錄中的刺激偽差，更重要的是可分析刺激期和非刺激期對(duì)腦電圖和心率的影響，特別是對(duì)癲癇樣放電的影響。

5.3 術(shù)后隨訪資料

建議在每次復(fù)查VEEG前做好預(yù)約安排，對(duì)必要的影像學(xué)、神經(jīng)心理學(xué)或神經(jīng)發(fā)育評(píng)估等項(xiàng)目一并進(jìn)行隨訪復(fù)查，并將包括VEEG復(fù)查在內(nèi)的所有隨訪結(jié)果及時(shí)錄入癲癇外科數(shù)據(jù)庫(kù)。